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J-GLOBAL ID：200903023671312720

半導体熱処理装置

Inventor：
矢吹 伸司

About 矢吹 伸司

, 
和地 三千則

About 和地 三千則

, 
大宝 幸司

About 大宝 幸司


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002156924
Publication number (International publication number)：2004002075
Application date： May. 30, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】被熱処理物の出し入れが容易で実用性に富む、更には耐熱容器のシールをより完全なものにした半導体熱処理装置を得る。【解決手段】加熱要素を有する圧力容器1内に、半導体の被処理単結晶2が収納可能となるよう開閉ができるガス不透過性耐熱容器21を設けた二重構造の半導体熱処理装置において、上記耐熱容器21を、シール材9を介して互いに対接する下側容器部4と上側容器部7とに二分割し、その下側容器部4及び上側容器部7の少なくとも一方を上下移動可能な支持軸6、8に取り付け、これにより下側容器部4及び上側容器部7が互いに離間及び対接して上記耐熱容器21がシール材9を介して開閉し得るように構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
加熱要素を有する圧力容器内に、半導体の被処理単結晶が収納可能となるよう開閉ができるガス不透過性耐熱容器を設けた二重構造の半導体熱処理装置において、 上記耐熱容器を、シール材を介して互いに対接する下側容器部と上側容器部とに二分割し、 その下側容器部及び上側容器部の少なくとも一方を上下移動可能な支持軸に取り付け、これにより下側容器部及び上側容器部が互いに離間及び対接して上記耐熱容器がシール材を介して開閉し得るように構成したことを特徴とする半導体熱処理装置。
IPC (3)：
C30B33/02 ,  C30B29/42 ,  H01L21/324
FI (3)：
C30B33/02 ,  C30B29/42 ,  H01L21/324 C
F-Term (8)：
4G077AA02 ,  4G077BE34 ,  4G077BE43 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077FE01 ,  4G077FE06 ,  4G077HA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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