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J-GLOBAL ID：200903009361542765

半導体集積回路装置及びその製造方法

Inventor： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  松浦 東 ,  早野 智明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997252467
Publication number (International publication number)：1999097532
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低誘電率の絶縁膜を有する半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 主表面上に複数の配線が形成された基板を有し、基板の主表面の上に、配線を覆うように絶縁膜が形成されている。絶縁膜は、籠状の分子構造部分を有する低誘電率組成物を含む。

Claim (excerpt)：

主表面上に複数の配線が形成された基板と、前記基板の主表面の上に、前記配線を覆うように形成され、籠状の分子構造部分を有する低誘電率組成物を含む絶縁膜とを有する半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312

FI (2)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/312 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-092486   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-246168   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭64-009231
  
• 特開昭64-076046
  

Cited by examiner (9)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-023622   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-246168   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-088749   Applicant：富士通株式会社
• 誘電体および誘電体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-324681   Applicant：ソニー株式会社
• 低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-092486   Applicant：新日本製鐵株式会社
• シロキサン系ポリマー含有塗布液及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-292176   Applicant：日本ゼオン株式会社, 富士通株式会社
• 特開昭64-009231
  
• 特開昭64-076046
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-111092   Applicant：富士通株式会社