Pat
J-GLOBAL ID:200903010009938851
試料解析方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
河野 登夫
, 河野 英仁
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004101357
Publication number (International publication number):2005283502
Application date: Mar. 30, 2004
Publication date: Oct. 13, 2005
Summary:
【課題】 電気的な測定に基づいた誘電率が50以上の誘電体膜を有する試料に対してエリプソメータの測定結果に基づき全光学範囲で解析を可能にする。 【解決手段】 基板上に電気的な測定に基づいた誘電率が50以上の誘電体膜を形成した試料をエリプソメータで測定すると共に、試料に応じたモデルを有効媒質近似(EMA)に基づき作成する。モデルの誘電体膜に対応する膜には空隙を60%以上90%以下の範囲で存在させる。モデルからの算出値とエリプソメータの測定値を比較して、両方の値の差が小さくなるようにフィッティングを行い試料の膜厚及び光学定数を特定する。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
エリプソメータで、基板上に電気的な測定に基づいた誘電率が50以上の誘電体膜を形成した試料へ偏光状態の光を入射するステップと、
前記試料に対する入射光及び反射光の偏光状態の変化値を測定するステップと、
前記試料に応じた条件を設定して、有効媒質近似に基づく空隙が60%以上90%以下の範囲で存在するモデルを作成するステップと、
作成されたモデルに基づき前記エリプソメータで測定した偏光状態の変化値に対応した値を算出するステップと、
算出した値と前記エリプソメータで測定した変化値とを比較するステップと、
比較した両値の相異が小さくなるように前記有効媒質近似に係る演算式及び前記モデルに係る分散式による演算を行うステップと、
前記演算の結果に基づき試料の解析を行うステップと
を備えることを特徴とする試料解析方法。
IPC (4):
G01N21/21
, G01B11/06
, G01N21/41
, H01L21/66
FI (4):
G01N21/21 Z
, G01B11/06 Z
, G01N21/41 Z
, H01L21/66 P
F-Term (34):
2F065AA30
, 2F065BB17
, 2F065CC31
, 2F065FF49
, 2F065LL67
, 2F065QQ17
, 2F065QQ25
, 2G059AA02
, 2G059AA03
, 2G059BB16
, 2G059EE04
, 2G059EE12
, 2G059HH02
, 2G059HH03
, 2G059JJ05
, 2G059JJ17
, 2G059JJ19
, 2G059KK02
, 2G059KK04
, 2G059MM01
, 2G059MM09
, 2G059MM10
, 4M106AA01
, 4M106AA20
, 4M106BA04
, 4M106BA20
, 4M106CA48
, 4M106CA70
, 4M106DH03
, 4M106DH12
, 4M106DH31
, 4M106DJ15
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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基板上の化合物半導体層の組成決定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-152848
Applicant:株式会社堀場ジョバンイボン, 株式会社堀場製作所
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分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-152849
Applicant:株式会社堀場ジョバンイボン, 株式会社堀場製作所
Cited by examiner (4)