Pat
J-GLOBAL ID:200903010408905053

薄膜圧電共振器及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 堀口 浩
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004108049
Publication number (International publication number):2005295250
Application date: Mar. 31, 2004
Publication date: Oct. 20, 2005
Summary:
【課題】 スプリアス振動を起こす等の不具合を生ずることのない薄膜圧電共振器を得る。【解決手段】 第二のシリコン基板2上に貫通孔が形成された第一のシリコン基板1が接着され、その上に薄膜圧電共振器本体が形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
表面、裏面を貫く第一の貫通孔が形成される第一の基板と、 前記第一の基板下に載置される第二の基板と、 前記貫通孔上に形成され、かつその幅が前記貫通孔の幅より大きい下部電極と、 前記下部電極上に形成される圧電膜と、 前記圧電膜上に形成される上部電極と、 を具備し、 前記貫通孔と前記第一の基板の表面とでキャビティを構成することを特徴とする薄膜圧電共振器。
IPC (6):
H03H9/17 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02
FI (6):
H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z
F-Term (13):
5J108AA01 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108DD07 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108FF05 ,  5J108KK01 ,  5J108MM04 ,  5J108MM11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page