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J-GLOBAL ID：200903010428310277

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 永原 誠司 ,  柴 和利 ,  濱中 信秋 ,  宇佐美 達矢 ,  横山 孝司
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 宮本 恵司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340160
Publication number (International publication number)：2003229481
Application date： Nov. 22, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】レジストパターンの解像不良を引き起こす反応阻害物質を確実に除去することが可能なダマシン構造の半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】基板上に、少なくとも第1層間絶縁膜6及び低誘電率膜からなる第2層間絶縁膜4を有し、第2層間絶縁膜上に形成した第1レジストパターン1aを用いてビアホール9を形成し、アミン成分を含有する有機剥離液で有機剥離処理を行った後、続いて第2層間絶縁膜上に第2レジストパターン1bを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ウェット処理後、第2レジストパターン下層の第2反射防止膜2bを塗布する前に、アニール処理、プラズマ処理、UV処理又は有機溶媒処理の少なくとも一の処理を行い、露光時にレジスト中で発生する酸の触媒作用を阻害するアミン成分を除去して第2レジストパターン1bの解像度の劣化を防止する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜が形成された基板に対して、有機剥離液又は洗浄液を用いてウェット処理を行った後、前記絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ウェット処理後、前記レジストパターンとなるレジスト又は該レジスト下層に設ける反射防止膜を塗布する前に、前記有機剥離液又は前記洗浄液に含有される物質であって、前記レジストの化学反応を阻害する反応阻害物質を除去する前処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/38 501 ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/30 563

F-Term (55)：

2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096CA06 ,  2H096CA20 ,  2H096JA02 ,  2H096KA02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR20 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX21 ,  5F033XX24 ,  5F046HA03 ,  5F046HA05 ,  5F046HA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-245742   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-257618   Applicant：日本電気株式会社
• レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-152579   Applicant：株式会社東芝
• ネガ型レジスト組成物及びネガ型レジスト像の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-258430   Applicant：日立化成工業株式会社
• 微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-174761   Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ, 日本エー・エス・エム株式会社
• レジストマスクの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-114205   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-314893   Applicant：松下電器産業株式会社