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J-GLOBAL ID：200903086932402804

レジストマスクの形成方法

Inventor：
戸島 孝之

About 戸島 孝之

, 
廣瀬 圭蔵

About 廣瀬 圭蔵


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998114205
Publication number (International publication number)：1999295903
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 レジストを基板表面に塗布した後、露光し、現像を行うにあたって、現像液中の溶存ガス例えば溶存窒素が気泡となって現像液とレジスト膜の表面部との間に介在し、現像欠陥になるという問題を解決する。【解決手段】 露光後の基板に対し、レジスト膜の表面部に、露光に用いられた光の波長よりも短い紫外領域の光を例えば室温で1〜2秒照射し、レジスト膜の表面部を疎水性から親水性に変え、その後現像工程を行う。レジスト膜の表面部が親水性になると、現像液中の気泡が付着しても浮上するので現像欠陥が起こらない。
Claim (excerpt)：
基板にレジスト膜を形成する工程と、この基板に対して露光処理を行う工程と、次いでレジスト膜の表面部を親水性にするレジスト改質工程と、その後前記基板のレジスト膜に現像液を供給して現像し、レジストマスクを得る工程と、を含むことを特徴とするレジストマスクの形成方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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