半導体レーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：碓氷裕彦 , 加藤大登 , 伊藤高順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004251435
Publication number (International publication number)：2004336085
Application date： Aug. 31, 2004
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】大出力で、かつ、円形に近いビーム形状のレーザ光を得ることができる半導体レーザを提供することにある。【解決手段】 n-GaAs基板1上にn-GaAs層2が形成され、その上にn-Al0.4Ga0.6Asクラッド層3、n-Al0.2Ga0.8As光ガイド層4、Al0.2Ga0.8As/GaAs多重量子井戸構造からなる活性層5、p-Al0.4Ga0.6Asクラッド層7、p-GaAs層8がメサ形に積層されている。活性層5と光ガイド層4との合計の厚さが1.5μm以上となっている。n-GaAs層2およびメサ状部の上面には絶縁膜9およびp型電極10が形成されている。ストライプ幅は400μmとなっている。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

ストライプ幅が100μm以上である半導体レーザであって、キャリアである電子および正孔が注入され、該注入されたキャリアを再結合させることで光を発生する活性層と、前記活性層に対して前記電子を注入する側に少なくとも形成され、前記活性層よりも実質的に屈折率の低い材料で構成されて前記活性層で発生された前記光を閉じ込める光ガイド層と、前記光ガイド層を含めた前記活性層の上下に形成され、前記光ガイド層よりも実質的に屈折率の低い材料で構成されたクラッド層とを有し、前記活性層と前記光ガイド層との厚さの合計が1.5μm以上とされ、かつ、前記電子および正孔の前記クラッド層から前記活性層に到達する距離が前記正孔の方において前記電子よりも短くされていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (1)：

H01S5/22

FI (1)：

H01S5/22 610

F-Term (7)：

5F173AA12 , 5F173AF53 , 5F173AH02 , 5F173AR14 , 5F173AR53 , 5F173AR62 , 5F173AR96

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭55-143092号公報
特開平4-151887号公報
特開昭61-79288号公報

Cited by examiner (11)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-019563 Applicant：日本電装株式会社
特開昭59-048972
特開平2-148874

Show all

Return to Previous Page