Pat
J-GLOBAL ID:200903070067491142
半導体レーザ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
柳田 征史 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000064658
Publication number (International publication number):2001257431
Application date: Mar. 09, 2000
Publication date: Sep. 21, 2001
Summary:
【要約】【課題】 基本横モード半導体レーザにおいて、高出力時まで安定な基本モード発振を維持する。【解決手段】 屈折率導波構造および電流狭窄構造を備えた基本横モード発振する半導体レーザにおいて、量子井戸層6の上下に光ガイド層5,7を備え、上部光ガイド層7の厚みを下部光ガイド層5の厚みより薄くする。さらに、光ガイド層5,7の合計厚みを0.5μm以上とし、電流狭窄層8のストライプ溝底面である電流狭窄構造の底部から量子井戸層6の上面までの距離を0.25μm未満とする。
Claim (excerpt):
下部クラッド層、下部光ガイド層、量子井戸層、上部光ガイド層および上部クラッド層がこの順に積層されてなる、屈折率導波構造を備えた基本モード発振する半導体レーザであって、前記上部光ガイド層の上方に電流狭窄構造を備え、前記上部光ガイド層が下部光ガイド層よりも薄いことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (12):
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073BA04
, 5F073CA05
, 5F073CA13
, 5F073CB02
, 5F073CB08
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA17
, 5F073EA18
, 5F073EA24
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-317644
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-042837
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-035732
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-324769
Applicant:三井化学株式会社
-
半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-035731
Applicant:三菱電機株式会社
-
自励発振型半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-016673
Applicant:ソニー株式会社
-
導波路型光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-296151
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平3-289187
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多重量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-321640
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-139623
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
屈折率導波型半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-266566
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
光半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-285472
Applicant:日本電気株式会社
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