デブリ軽減システムを有するリソグラフィ装置、デブリ軽減システムを有するEUV放射線発生源、及びデブリを軽減させる方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006546878
Publication number (International publication number)：2007522646
Application date： Dec. 31, 2004
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：

リソグラフィ装置が開示される。この装置は、放射線ビームを供給する照明システムと、パターン付与構造体を支持する支持構造体とを含む。このパターン付与構造体は、放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成される。この装置はまた、基板を支持する基板支持部と、パターン付与されたビームを基板の標的部分に投影する投影システムと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムとを含む。このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される。

Claim (excerpt)：

放射線ビームを供給する照明システムと、前記放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成されたパターン付与構造体を支持する支持構造体と、基板を支持する基板支持部と、前記パターン付与されたビームを前記基板の標的部分に投影する投影システムと、前記リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムであって、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成されるデブリ軽減システムとを含む、リソグラフィ装置。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G21K 1/00 , G21K 5/02 , H05G 2/00

FI (4)：

H01L21/30 531S , G21K1/00 X , G21K5/02 X , H05G1/00 K

F-Term (7)：

4C092AA04 , 4C092AA10 , 4C092AB19 , 4C092AC09 , 4C092BD20 , 5F046GA03 , 5F046GC03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

レーザープラズマX線源のデブリス除去方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-149267 Applicant：関西電力株式会社, 財団法人レーザー技術総合研究所, 中井貞雄
X線発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-339925 Applicant：キヤノン株式会社
レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-024731 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (8)

レーザープラズマX線源のデブリス除去方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-149267 Applicant：関西電力株式会社, 財団法人レーザー技術総合研究所, 中井貞雄
X線発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-339925 Applicant：キヤノン株式会社
レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-024731 Applicant：株式会社日立製作所

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