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J-GLOBAL ID：200903019922925290

X線発生装置

Inventor：
長谷川 隆行

About 長谷川 隆行

, 
三宅 明

About 三宅 明


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001339925
Publication number (International publication number)：2003142296
Application date： Nov. 05, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、デブリを効率よく阻止することで光学素子の破壊、性能の変化を抑えることを可能とし、かつX線の出力が安定したX線発生装置を提供する。【解決手段】 本発明の一側面としてのX線発生装置は、ターゲット部材に励起エネルギービームを照射することでプラズマを発生し、X線を発生させるX線発生装置において、前記X線の発光点近傍に位置し、少なくとも前記X線を取り出すために必要な部分以外が遮蔽されたシールド式デブリ阻止手段と、前記発光点からみて前記シールド式デブリ阻止手段より後段に位置し、前記X線を透過して前記デブリを阻止するフィルター式デブリ阻止手段又は前記X線を反射して前記デブリを阻止するミラー式デブリ阻止手段と、前記シールド式デブリ阻止手段と前記フィルター式デブリ阻止手段又は前記ミラー式デブリ阻止手段との間に位置し、当該フィルター式デブリ阻止手段又は前記ミラー式デブリ阻止手段に到達するデブリを阻止することでフィルター又はミラーの寿命を延ばす第3のデブリ阻止手段とを有する。
Claim (excerpt)：
ターゲット部材に励起エネルギービームを照射することでプラズマを発生し、X線を発生させるX線発生装置において、前記X線の発光点近傍に位置し、少なくとも前記X線を取り出すために必要な部分以外が遮蔽されたシールド式デブリ阻止手段と、前記発光点からみて前記シールド式デブリ阻止手段より後段に位置し、前記X線を透過して前記デブリを阻止するフィルター式デブリ阻止手段又は前記X線を反射して前記デブリを阻止するミラー式デブリ阻止手段と、前記シールド式デブリ阻止手段と前記フィルター式デブリ阻止手段又は前記ミラー式デブリ阻止手段との間に位置し、当該フィルター式デブリ阻止手段又は前記ミラー式デブリ阻止手段に到達するデブリを阻止することでフィルター又はミラーの寿命を延ばす第3のデブリ阻止手段とを有するX線発生装置。
IPC (6)：
H05G 2/00 ,  G01N 23/20 ,  G21K 1/00 ,  G21K 1/06 ,  G21K 5/02 ,  H01L 21/027
FI (6)：
G01N 23/20 ,  G21K 1/00 X ,  G21K 1/06 G ,  G21K 5/02 X ,  H05G 1/00 K ,  H01L 21/30 531 S
F-Term (11)：
2G001AA01 ,  2G001BA15 ,  2G001CA01 ,  2G001EA01 ,  2G001GA01 ,  4C092AA06 ,  4C092AB19 ,  4C092AC09 ,  4C092DD30 ,  5F046GC03 ,  5F046GC05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • レーザープラズマX線源のデブリス除去方法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-149267   Applicant：関西電力株式会社, 財団法人レーザー技術総合研究所, 中井貞雄
  • 露光装置及び露光方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-046698   Applicant：株式会社日立製作所
  • X線発生装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-305199   Applicant：株式会社ニコン
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