III族窒化物膜、エピタキシャル基板、及び多層膜構造

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002259723
Publication number (International publication number)：2004099337
Application date： Sep. 05, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】低転位で結晶性に優れた窒化物膜、特にはAl含有窒化物膜を形成する低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する。【解決手段】CVD法における第1の成膜条件でエピタキシャル成長を実施した後、前記第1の成膜条件と異なる第2の成膜条件でエピタキシャル成長を実施して得た、基材の主面から立上った刃状転位が膜中で横方向に屈曲し、前記基材の前記主面と略平行に伝播してなるIII族窒化物膜を下地層として用い、この下地層上に目的とするIII族窒化物膜を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

所定の基材の主面上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物膜であって、その内部において、刃状転位が前記基材の前記主面から立ち上がった後、前記主面と略平行となるように屈曲し、伝播していることを特徴とする、III族窒化物膜。

IPC (4)：

C30B29/38 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/00

FI (4)：

C30B29/38 C , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/00 C

F-Term (43)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB08 , 4G077DB12 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TB05 , 4G077TC01 , 4G077TC06 , 4G077TC09 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030BA55 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045EE17 , 5F045EK27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-279557 Applicant：理化学研究所
3-5族化合物半導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082240 Applicant：住友化学工業株式会社
窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-376422 Applicant：ソニー株式会社

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