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J-GLOBAL ID：200903093012782601

窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス

Inventor： 藤倉 序章 ,  飯塚 和幸
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002086615
Publication number (International publication number)：2003277196
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】 転位密度の小さな窒化物半導体結晶を基板の全面にわたって形成する窒化物半導体結晶の製造方法、かかる方法により得られた窒化物半導体結晶を有する窒化物半導体ウエハ及び窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】 本発明の窒化物半導体結晶の製造方法は、(a) 基板上に窒化物半導体からなる微結晶粒を形成する工程と、(b) 前記微結晶粒を核として、前記基板の表面に対して傾斜した複数のファセット面を有する窒化物半導体島構造を形成する工程と、(c) 前記窒化物半導体島構造を前記基板の表面と平行な方向に成長させることにより複数の前記窒化物半導体島構造を相互に結合させ、もって平坦な表面を有する窒化物半導体結晶層を形成する工程とを有し、前記工程(a)〜(c) を同一の成長装置内で連続して行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(a) 基板上に窒化物半導体からなる微結晶粒を形成する工程と、(b) 前記微結晶粒を核として、前記基板の表面に対して傾斜した複数のファセット面を有する窒化物半導体島構造を形成する工程と、(c) 前記窒化物半導体島構造を前記基板の表面と平行な方向に成長させることにより複数の前記窒化物半導体島構造を相互に結合させ、もって平坦な表面を有する窒化物半導体結晶層を形成する工程とを有し、前記工程(a) 〜(c) を同一の成長装置内で連続して行うことを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (8)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00

FI (6)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 H

F-Term (49)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CB11 ,  5F041CB21 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67 ,  5F045HA06 ,  5F052KA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

• GaN結晶膜、III族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-211044   Applicant：日本電気株式会社
• 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-301158   Applicant：日本電気株式会社
• GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-274555   Applicant：日本電気株式会社
• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-207783   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-068067   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-046837   Applicant：三菱化学株式会社
• III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-063688   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭63-213337
  
• 特開平4-297023
  
• 化合物半導体エピタキシャルウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-224003   Applicant：昭和電工株式会社
• 半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-336307   Applicant：ソニー株式会社
• 位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124378   Applicant：理化学研究所
• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-217911   Applicant：ソニー株式会社
• III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-038841   Applicant：昭和電工株式会社
• III族窒化物半導体結晶の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた光源
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-521342   Applicant：昭和電工株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy
• Fabrication and Characterization of Low Defect Density GaN using Facet-Controlled Epitaxial Lateral