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J-GLOBAL ID：200903068073391821

窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法

Inventor：
冨岡 聡

About 冨岡 聡


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999376422
Publication number (International publication number)：2001168045
Application date： Dec. 08, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 品質を向上させることができ、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法を提供する。【解決手段】 成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。そののち、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。大きな成長速度で成長した第1の成長層21の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第2の成長層22を成長させることにより、第1の成長層21の表面の窪みが埋められ、第2の成長層22の表面を平坦にすることができる。また、第1の成長層21の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第1の成長層21から引き継がれた転位Dが横方向に屈曲し、第2の成長層22の表面まで伝搬される転位Dの密度が大きく低減する。
Claim (excerpt)：
III族元素としてガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種を含み、V族元素として少なくとも窒素(N)を含む窒化物系III-V族化合物層の製造方法であって、窒化物系III-V族化合物を含有する第1の成長層を、第1の成長速度で成長させる第1の成長工程と、窒化物系III-V族化合物を含有する第2の成長層を、前記第1の成長速度よりも小さい第2の成長速度で成長させる第2の成長工程とを含むことを特徴とする窒化物系III-V族化合物層の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C
F-Term (45)：
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB19 ,  5F045CA10 ,  5F045EB13 ,  5F045GH09 ,  5F045HA14 ,  5F103AA04 ,  5F103AA05 ,  5F103DD01 ,  5F103DD27 ,  5F103KK01 ,  5F103KK02 ,  5F103KK04 ,  5F103KK06 ,  5F103KK07 ,  5F103KK08 ,  5F103LL02 ,  5F103NN02 ,  5F103PP02 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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