III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001314662
Publication number (International publication number)：2002222771
Application date： Oct. 12, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】簡易な方法により低転位のIII族窒化物膜を製造する方法を提供する。【解決手段】所定の基板上に、平坦部の割合が50%以下の凹凸状の表面を有し、少なくともAlを50原子%以上含有してなるIII族窒化物からなる下地膜を形成する。次いで、通常のMOCVD法により、前記下地膜上に、目的とするIII族窒化物膜を形成する。

Claim (excerpt)：

III族窒化物膜を製造する方法であって、平坦部の割合が50%以下の凹凸状の表面を有し、少なくともAlを50原子%以上含有してなる第1のIII族窒化物からなる下地膜上に、前記III族窒化物膜を製造することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (30)：

5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045DA51 , 5F045DA54 , 5F045EE12 , 5F045EM04 , 5F045HA06 , 5F045HA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

化合物半導体エピタキシャルウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-282524 Applicant：昭和電工株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-043960 Applicant：松下電器産業株式会社
GaN薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-045405 Applicant：理化学研究所

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