半導体リレー装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：板谷康夫 , 田口勝美 , 水田愼一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005327793
Publication number (International publication number)：2007135081
Application date： Nov. 11, 2005
Publication date： May. 31, 2007
Summary：

【課題】半導体リレー装置において、高耐圧化、高耐温化及び小型化を図る。【解決手段】半導体リレー装置は、入力信号に応答して光信号を出力するLED1と、このLED1からの光信号を受光して所定電圧を発生するフォトダイオードアレイ2と、このフォトダイオードアレイ2による発生電圧を充放電する充放電回路3と、この充放電回路3からの制御電圧によりオン、オフされる炭化珪素を材料とする出力用MOSFET4とを備える。これにより、出力部が高耐圧化、高耐熱化、高効率化されるので、従来のSi半導体のMOSFETを用いた半導体リレー装置に比べ、より高耐電圧、高耐熱、低損失の小型、高性能の半導体リレーを得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

入力信号に応答して光信号を出力する発光素子と、前記発光素子からの光信号を受光して所定電圧を発生するフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイによる発生電圧を充放電する充放電回路と、前記充放電回路により制御される出力用MOSFETとを備え、前記入力信号に応答して前記出力用MOSFETを開閉する半導体リレー装置において、前記出力用MOSFETは炭化珪素(SiC)により構成されていることを特徴とする半導体リレー装置。

IPC (1)：

H03K 17/78

FI (1)：

H03K17/78 G

F-Term (10)：

5J050AA01 , 5J050AA49 , 5J050BB21 , 5J050CC09 , 5J050DD08 , 5J050EE13 , 5J050EE17 , 5J050EE31 , 5J050FF04 , 5J050FF10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第4268843号明細書
半導体リレー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-295909 Applicant：横河電機株式会社
高耐圧半導体リレー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-063375 Applicant：横河電機株式会社

Cited by examiner (6)

半導体スイッチ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-314029 Applicant：松下電工株式会社
半導体リレー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-295909 Applicant：横河電機株式会社
高耐圧半導体リレー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-063375 Applicant：横河電機株式会社

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