磁気抵抗効果膜及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012015
Publication number (International publication number)：2000216020
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】抵抗変化率を低下させることなく、交換バイアス磁界が大きく、温度特性に優れた固定磁化層/反強磁性体層からなる交換結合膜を備えた磁気抵抗効果膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果膜は、自由磁化層、非磁性体層、固定磁化層及び反強磁性体層から構成され、前記固定磁化層の磁化方向は前記反強磁性体層との交換結合により固定され、前記自由磁化層の磁化方向は外部磁場に対して自由に回転し、該自由磁化層と該固定磁化層における磁化の向きのなす角度によって磁気抵抗効果を生ずる磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性体層の結晶粒径が、自由磁化層、非磁性体層及び少なくとも固定磁化層の一部の結晶粒径より大きいことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

自由磁化層、非磁性体層、固定磁化層及び反強磁性体層から構成され、前記固定磁化層の磁化方向は前記反強磁性体層との交換結合により固定され、前記自由磁化層の磁化方向は外部磁場に対して自由に回転し、該自由磁化層と該固定磁化層における磁化の向きのなす角度によって磁気抵抗効果を生ずる磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性体層の結晶粒径が、自由磁化層、非磁性体層及び少なくとも固定磁化層の一部の結晶粒径より大きいことを特徴とする磁気抵杭効果膜。

IPC (3)：

H01F 10/32 , C23C 14/34 , H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/08 A , C23C 14/34 M , H01L 43/08 Z

F-Term (17)：

4K029BA21 , 4K029BA22 , 4K029BA25 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029CA05 , 4K029EA03 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049AC00 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049EB01 , 5E049GC04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-341744 Applicant：日本電気株式会社
交換結合膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085220 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-196363 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (5)

交換結合膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085220 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-341744 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-105756 Applicant：日本電気株式会社

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