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J-GLOBAL ID:200903011788953515
研磨装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005041950
Publication number (International publication number):2006224252
Application date: Feb. 18, 2005
Publication date: Aug. 31, 2006
Summary:
【課題】均一性の高い研磨および高速研磨を可能とする研磨装置を提供する。【解決手段】研磨パッド11は、その研磨面が被研磨材料Mにおける被研磨面E1の表面積より小さく、かつヤング率が10MPa以上である。被研磨面E1には、研磨剤供給部12から光触媒作用を有する研磨剤12Cが供給される。研磨剤12Cおよび被研磨面E1には、光照射部13から、研磨剤12Cおよび被研磨材料Mのいずれのバンドギャップよりも大きなエネルギーに相当する波長の光が照射される。研磨面E2から被研磨面E1へ押圧力が加わると共に、研磨面E2と被研磨面E1とが相対移動することにより被研磨面E1が研磨される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
被研磨材料を支持する支持手段と、
前記被研磨材料の被研磨面の表面積より小さく、かつヤング率が10MPa以上の研磨面を有する研磨パッドと、
光触媒作用を有する研磨粒子を含む研磨剤を前記被研磨材料上に供給する研磨剤供給手段と、
前記研磨粒子および被研磨材料のいずれのバンドギャップよりも大きなエネルギーに相当する波長の光を、前記被研磨材料上の研磨剤および前記被研磨材料に照射する光照射手段と、
前記光が照射された研磨剤を介して前記研磨パッドと前記被研磨材料との間に押圧力を加える圧力印加手段と、
前記研磨面と前記被研磨面とを相対的に回動させる回動手段と
を備えたことを特徴とする研磨装置。
IPC (2):
FI (4):
B24B37/00 H
, B24B37/00 C
, H01L21/304 622B
, H01L21/304 622F
F-Term (7):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (12)
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化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-089951
Applicant:株式会社東芝
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半導体製造装置および半導体製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-207162
Applicant:三菱電機株式会社
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特開昭59-142059
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研磨装置および研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-029108
Applicant:ソニー株式会社
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特開平2-036069
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特開昭59-142059
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特開平2-036069
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メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-259116
Applicant:株式会社デンソー
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光触媒を用いた微細加工方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-138860
Applicant:住友重機械工業株式会社
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特開昭59-142059
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特開平2-036069
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シリコンウエハの研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-119578
Applicant:学校法人東海大学
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