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J-GLOBAL ID：200903012289868902

GaN系半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
琵琶 剛志

About 琵琶 剛志

, 
奥山 浩之

About 奥山 浩之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005264935
Publication number (International publication number)：2007080996
Application date： Sep. 13, 2005
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：
【課題】高い動作電流密度での駆動における高発光効率を達成し、同時に、動作電圧の大幅な低減を実現し得る構造を有するGaN系半導体発光素子を提供する。【解決手段】GaN系半導体発光素子は、(A)n型の導電型を有する第1GaN系化合物半導体層13、(B)活性層15、及び、(C)p型の導電型を有する第2GaN系化合物半導体層18を備え、更に、(D)第1GaN系化合物半導体層13と活性層15との間に形成されたGaN系化合物半導体から成る下地層21、及び、(E)活性層15と第2GaN系化合物半導体層18との間に形成され、GaN系化合物半導体から成り、p型ドーパントを含有する超格子構造層22を備えている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
(A)n型の導電型を有する第1GaN系化合物半導体層、 (B)活性層、及び、 (C)p型の導電型を有する第2GaN系化合物半導体層、 を備え、更に、 (D)第1GaN系化合物半導体層と活性層との間に形成されたGaN系化合物半導体から成る下地層、及び、 (E)活性層と第2GaN系化合物半導体層との間に形成され、GaN系化合物半導体から成り、p型ドーパントを含有する超格子構造層、 を備えていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (15)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA77 ,  5F041DA78 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6635904 B2
Cited by examiner (6)
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