半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：今下勝博 , 岡田賢治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002344536
Publication number (International publication number)：2004179428
Application date： Nov. 27, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】従来の可視光の半導体発光素子は、InGaNからなる活性層をAlGaNからなるクラッド層ではさんだダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体で構成していた。しかし、活性層の結晶性が悪いために大きな発光出力を得ることができなかった。本発明は、半導体発光素子の井戸層の結晶性を改善することにより、大きな発光出力を得ることを目的とする【解決手段】本発明は、p型AlxGa1-xNからなる層と、n型AlyGa1-yNからなる層とではさまれた層を多重井戸構造、あるいはSCH(Separate Confinement Heterostructure)構造とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

p型AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる層と、n型AlyGa1-yN(0≦y≦1)からなる層とではさまれた多重井戸層が、 InqGa1-qN(0<q≦1)からなる井戸層と、該井戸層に隣接するInrGa1-rN(0≦r<1)からなる障壁層であって隣接する井戸層との間ではr<qの関係になる障壁層とが交互に複数積層された層を含み、主に、前記p型AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる層に近い井戸層で電子と正孔を再結合させて発光させる半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S5/343 , H01L33/00

FI (2)：

H01S5/343 610 , H01L33/00 C

F-Term (9)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA14 , 5F041CA40 , 5F041CA60 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073EA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

窒化物系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-234882 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-050830 Applicant：日本電気株式会社
紫外発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-080891 Applicant：日本電信電話株式会社

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