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J-GLOBAL ID：200903012322917442

光電変換素子及びその製造方法

Inventor：
丸山 英治

About 丸山 英治

, 
木下 敏宏

About 木下 敏宏


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999100275
Publication number (International publication number)：2000294812
Application date： Apr. 07, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【目的】 発光強度の向上した発光素子を提供する。【構成】 表面に凹凸面2Aが形成された第一電極層2と、光電変換層3と、第二電極層4とを有する光電変換素子であって、前記第一電極層2における前記凹凸面2Aは、表面に凹凸が形成された凹凸層22の表面形状に基づいて形成され、前記凹凸層22の下地に、該凹凸層よりもエッチングされにくい材料からなる下地層21を備えている。
Claim (excerpt)：
表面に凹凸面が形成された第一電極層と、光電変換層と、第二電極層とを有する光電変換素子であって、前記第一電極層は、表面に凹凸が形成された凹凸層を有し、該凹凸層の下地に、該凹凸層よりもエッチングされにくい材料からなる下地層を備えることを特徴とする光電変換素子。
F-Term (10)：
5F051AA05 ,  5F051BA15 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
  • 光起電力素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345135   Applicant：キヤノン株式会社
  • 太陽電池
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-158816   Applicant：キヤノン株式会社
  • 半導体太陽電池の製造方法及びその半導体太陽電池
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344957   Applicant：キヤノン株式会社
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