Pat
J-GLOBAL ID：200903012403795309

セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置

Inventor：
木島 健

About 木島 健

, 
名取 栄治

About 名取 栄治


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003063169
Publication number (International publication number)：2004273808
Application date： Mar. 10, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】表面モフォロジーを改善することができるセラミックス膜または強誘電体キャパシタの製造方法およびこれらの製造方法により得られるセラミックス膜または強誘電体キャパシタを提供する。このセラミックス膜または強誘電体キャパシタが適用された半導体装置を提供する。【解決手段】基体10上に下部電極20を形成し、前記下部電極20の上に、複合酸化物を含む原材料体30を2気圧以上に加圧された状態で熱処理して結晶化させてセラミックス膜40を形成し、前記セラミックス膜の上に上部電極50を形成することを含み、前記複合酸化物は、PbまたはBiを構成元素として含み、前記原材料体30は、前記複合酸化物の構成元素のうち少なくともPbまたはBiが前記複合酸化物の化学量論的組成に対して多くとも5%過剰となるように含まれ、かつその他の構成元素が前記複合酸化物の化学量論的組成で含まれるゾルゲル原料およびMOD原料の混合物からなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複合酸化物を含む原材料体を2気圧以上に加圧された状態で熱処理して結晶化させることを含み、 前記複合酸化物は、PbまたはBiを構成元素として含み、 前記原材料体は、前記複合酸化物の構成元素のうち少なくともPbまたはBiが前記複合酸化物の化学量論的組成に対して多くとも5%過剰となるように含まれるゾルゲル原料およびMOD原料の混合物からなる、セラミックス膜の製造方法。
IPC (2)：
H01L21/316 ,  H01L27/105
FI (4)：
H01L21/316 G ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/10 444Z ,  H01L27/10 444C
F-Term (21)：
5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083FR05 ,  5F083FR10 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
Show all
Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM