窒化物半導体の成長方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998131618
Publication number (International publication number)：1999219909
Application date： May. 14, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【目的】基板となり得るような結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法を提供すると共に、信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供する。【構成】異種基板の上に成長された第1の窒化物半導体層の上に部分的に保護膜を形成し、その保護膜の上に、第1の窒化物半導体層よりも結晶欠陥が少ない第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の成長方法において、前記第1の窒化物半導体層と保護膜との間に保護膜に接して、あるいは第2の窒化物半導体層成長中に、Inを含む窒化物半導体層を形成することにより結晶欠陥の転位を止める。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に成長された第1の窒化物半導体層の上に部分的に保護膜を形成し、その保護膜の上に、第1の窒化物半導体層よりも結晶欠陥が少ない第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の成長方法において、前記第1の窒化物半導体層と保護膜との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる第3の窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-311518 Applicant：豊田合成株式会社
GaN系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-307677 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-086645 Applicant：三菱電線工業株式会社

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