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J-GLOBAL ID：200903013474537943

シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法とその熱処理装置並びにシリコン単結晶ウェーハとその製造方法

Inventor：
足立 尚志

About 足立 尚志

, 
久富 健博

About 久富 健博

, 
佐野 正和

About 佐野 正和


Applicant, Patent owner：
住友シチックス株式会社

About 住友シチックス株式会社


Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997185923
Publication number (International publication number)：1998074771
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】 DZ層形成のための拡散熱処理、IG能を付与するためのBMDを生成制御する熱処理、表面やウェーハ内部のCOP欠陥を消失させて酸化膜耐圧特性の改善向上を図る熱処理等、シリコン単結晶ウェーハに施される多様な熱処理に際して、単一の熱処理工程でシリコン単結晶ウェーハの処理枚数を増大させると共に、高温熱処理雰囲気内での転位及びスリップを抑制することができるシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法の提供。【解決手段】 ウェーハを10枚程度積層してこの一群を単位として、水平にあるいは0.5〜5°程度、僅かに傾斜させてウェーハの外周の複数箇所を接触支持するボートに載置し、さらに多段に複数群をスタック配置して熱処理するもので、実施例に示すごとく、シリコン単結晶ウェーハに施される多様な熱処理の適用が可能で、転位及びスリップを防止して各ウェーハに均一に同じ熱処理効果を及ぼすことができる。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶ウェーハを少なくとも2枚以上積層して一群となし、一群以上のシリコン単結晶ウェーハを垂直方向にスタック配置し、前記一群のウェーハを水平もしくは一方側を水平より上方へ傾斜させて、熱処理するシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/324 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322
FI (5)：
H01L 21/324 Q ,  H01L 21/324 X ,  C30B 29/06 B ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322 Y
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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