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J-GLOBAL ID:200903013698977329
ナノ結晶をドーピングしたマトリックス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (3):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006549608
Publication number (International publication number):2007524119
Application date: Jan. 13, 2005
Publication date: Aug. 23, 2007
Summary:
本発明は、半導体ナノ結晶をドーピングされたマトリックスを提供する。特定の実施形態において、この半導体ナノ結晶は、特定波長の光を吸収または放射するようなサイズおよび組成を有する。これらのナノ結晶は、ポリマー類を含む種々のマトリックス物質との混合を可能にする配位子を具備することができるので、最小部分の光がこれらのマトリックスにより散乱される。本発明のマトリックスは、屈折率に適合する用途にも利用されうる。他の実施形態では、半導体ナノ結晶は、マトリックス内に埋め込まれてナノ結晶密度勾配を形成し、それにより有効な屈折率勾配を作る。本発明のマトリックスは、フィルタおよび光学装置上の非反射的コーティングとして、および周波数逓降層としても使える。本発明は、半導体ナノ結晶を含むマトリックスを製造するプロセスも提供する。
Claim (excerpt):
(a)ポリマー、および
(b)該ポリマー内に埋め込まれた半導体ナノ結晶、
を含むポリマー層であって、
該ナノ結晶が可視光を吸収するようなサイズおよび組成を有し、
該ポリマー層が該層に入る光の最小部分を散乱するポリマー層。
IPC (5):
G02B 1/02
, B82B 1/00
, G02B 1/04
, G02B 5/22
, H01L 33/00
FI (6):
G02B1/02
, B82B1/00
, G02B1/04
, G02B5/22
, H01L33/00 A
, H01L33/00 N
F-Term (12):
2H048CA05
, 2H048CA12
, 2H048CA13
, 2H048CA14
, 2H048CA20
, 2H048CA24
, 5F041CB36
, 5F041DA18
, 5F041DA26
, 5F041DA42
, 5F041DA46
, 5F041DA58
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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半導体結晶粒子を含有する薄膜状成形体、及びその用途
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-360749
Applicant:三菱化学株式会社
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半導体超微粒子を含有する塗布組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-306965
Applicant:三菱化学株式会社
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半導体結晶粒子を含有する薄膜状成形体、及びその用途
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-336119
Applicant:三菱化学株式会社
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フッ化アルキル配位子を結合してなる半導体超微粒子、及びこれを含有する薄膜状成形体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-398865
Applicant:三菱化学株式会社
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アミノ基を結合してなる半導体超微粒子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-226558
Applicant:三菱化学株式会社
-
発光素子用量子ドットシリケート薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-188289
Applicant:三星電子株式会社
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半導体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-003269
Applicant:三菱化学株式会社
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半導体ナノ結晶複合材
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2003-529118
Applicant:マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー
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ナノクリスタル構造体
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2003-545469
Applicant:マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー, ザレゲンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
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水溶性蛍光半導体ナノ結晶
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-571265
Applicant:マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
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半導体-ナノ結晶/複合ポリマー薄膜
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2003-579291
Applicant:ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
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