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J-GLOBAL ID:200903015275414614

減衰型位相シフトマスクおよびそれを製造するためのプロセス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995130616
Publication number (International publication number):1995333825
Application date: May. 29, 1995
Publication date: Dec. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】 酸化シリコン基板へのエッチングなしに、正確な180°の位相シフトを与える減衰型位相シフトマスクを提供する。【構成】 透明な基板12上に形成された約3〜10%の透過を与える厚さの第1の層10と、前記の第1の層の上に形成された所望の位相シフトを与える厚さの透明な物質よりなる第2の層16と、を備えている。180°の位相シフトや、i-線の波長(365nm)に対しては、クロムが第1の層として用いられた場合、約25〜75nmの範囲の厚さが用いられ、二酸化シリコンが第2の層として用いられた場合は、約400〜450nmの範囲の厚さが用いられる。酸化物はドライエッチングされてもよいが、等方性ウェットエッチングは、より優れた気中のイメージ(aerial image)を与える。
Claim (excerpt):
透明基板上に形成された約3〜10%の範囲の透過率をもたらすような厚さの第1層と、前記第1層上に形成され所望の位相シフトを与えるような厚さの透明な物質を含む第2層と、を備える減衰型位相シフトマスク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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