Pat
J-GLOBAL ID：200903016230861004

半導体撮像装置及びその製造方法

Inventor：
菰口 徹哉

About 菰口 徹哉

, 
東宮 祥哲

About 東宮 祥哲


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002018608
Publication number (International publication number)：2003224249
Application date： Jan. 28, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：
【要約】【課題】 多層配線化及び多画素化に伴いアスペクト比が高くなった場合に、この光導波路部を成す透明膜の埋め込み性が改善されることにより集光効率を向上できるようにする。【解決手段】 フォトダイオード15を有するシリコン基板11と、このシリコン基板11に接続された配線19A,19Bと、この配線19A等を絶縁するためにフォトダイオード15を含むシリコン基板11上に設けられた層間絶縁膜21と、フォトダイオード15上の配線19A,19Bを除く層間絶縁膜21を貫く部分であって、当該層間絶縁膜21の最上部からフォトダイオード表面へ至る部分に設けられた多段開口幅状の光導波路部22とを備えるものである。光導波路部32はその最上部の開口幅w1に比べて最下部の開口幅w2を狭くなされた多段開口幅状の構造を有している。
Claim (excerpt)：
半導体撮像素子を有する所定の基板と、前記基板に接続された導電性の膜と、前記導電性の膜を絶縁するために前記半導体撮像素子を含む基板上に設けられた絶縁性の膜と、前記半導体撮像素子上の導電性の膜を除く前記絶縁性の膜を貫く部分であって、当該絶縁性の膜最上部から半導体撮像素子表面へ至る部分に設けられた多段開口幅状の光導波路部とを備えることを特徴とする半導体撮像装置。
IPC (4)：
H01L 27/14 ,  G02B 5/20 101 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (4)：
G02B 5/20 101 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A
F-Term (28)：
2H048BA02 ,  2H048BB02 ,  2H048BB10 ,  2H048BB28 ,  2H048BB47 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118CA34 ,  4M118CA40 ,  4M118CB13 ,  4M118EA01 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GD04 ,  5C024CY47 ,  5C024EX24 ,  5C024EX42 ,  5C024EX52 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049PA14 ,  5F049SZ06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM