高誘電キャパシタ誘電体を含む半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀬谷徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000391215
Publication number (International publication number)：2001237401
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】キャパシタ誘電体膜として高い誘電定数(K)を有する半導体メモリデバイスを提供する。【解決手段】メモリセルで用いる半導体デバイスにおいて、半導体基板、前記半導体基板に形成された多数のトランジスタ及び前記トランジスタに電気的に接続された導電性プラグを備える活性マトリックスと、前記導電性プラグ上に形成された多数の下部電極と、前記下部電極上に形成された合成膜と、前記合成膜上に形成されているアルミニウムオキサイド(Al2O3)膜を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

メモリセルを用いる半導体デバイスにおいて、半導体基板、前記半導体基板に形成された多数のトランジスタ、前記トランジスタに電気的に接続された導電性プラグを備える活性マトリックスと、前記導電性プラグ上に形成された多数の下部電極と、前記下部電極上に形成された合成膜と、前記合成膜上に形成されているアルミニウムオキサイド(Al2O3)膜とを含むことを特徴とする高誘電キャパシタ誘電体を含む半導体デバイス。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (5)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025618 Applicant：日本電気株式会社
半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-156625 Applicant：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
TiO2を添加したTa2O5を含む誘電体材料及びそれを用いるコンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-153653 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

Show all

Return to Previous Page