プラズマ処理方法および装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210446
Publication number (International publication number)：1997064159
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】プロセス処理のバラツキを低減する。【構成】マイクロ波導入前後の真空容器67内の光量を光電子倍増管73により電気信号として測定し、これら2つの電気信号を比較して真空容器67内におけるプラズマの生成を確認する。その後、試料裏面への冷却ガスの供給および試料台68へのバイアス電圧の印加を行ない、プロセス処理を実行する。

Claim (excerpt)：

真空室内にプラズマを発生させるとともに、試料台に静電吸着電圧を印加して前記試料台に配置した試料を静電吸着保持し、前記プラズマによって前記試料を処理するプラズマ処理方法において、前記プラズマの着火を確認した後に、前記試料裏面への伝熱ガスの供給および前記試料台へのバイアス電圧の印加を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/68 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/68 R , C23F 4/00 A , C23F 4/00 D , H05H 1/46 A , H05H 1/46 C , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

プラズマ処理装置の制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-284207 Applicant：東京エレクトロン株式会社
イオン照射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-204277 Applicant：日新電機株式会社
イオン注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-213819 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Show all

Cited by examiner (7)

プラズマ処理装置の制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-284207 Applicant：東京エレクトロン株式会社
イオン照射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-204277 Applicant：日新電機株式会社
イオン注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-213819 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Show all

Return to Previous Page