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J-GLOBAL ID：200903017132467728

ビニルエーテル化合物、高分子化合物、フォトレジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor：
長谷川 幸士

About 長谷川 幸士

, 
金生 剛

About 金生 剛

, 
渡辺 武

About 渡辺 武


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004052915
Publication number (International publication number)：2005239919
Application date： Feb. 27, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：
【解決手段】 ベース樹脂として、繰り返し単位の20モル%以上が式(1)である樹脂を含有する波長200nm以下での露光用として用いられるフォトレジスト材料において、該樹脂を構成する繰り返し単位が更に式(2)の構造の繰り返し単位を含有する樹脂を含むことを特徴とするフォトレジスト材料。 【化1】(R1は水素原子又はメチル基、R2は、(i)酸不安定基で保護された酸性基を持つ酸素含有アルキル基及び(ii)極性基から選ばれる1種以上の置換基、R3は酸不安定基で保護された酸性基を持つ1種以上の酸素含有アルキル基である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、ミクロなバラツキが抑制された重合体を使用することにより、特に、ArFエキシマレーザーによる露光により微細パターンを形成した場合、パターンエッジラフネスの小さなパターンを形成することができるという特徴を有する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
ベース樹脂として、繰り返し単位の20モル%以上が下記一般式(1)である樹脂を含有する波長200nm以下での露光用として用いられるフォトレジスト材料において、該樹脂を構成する繰り返し単位が更に下記一般式(2)の構造の繰り返し単位を含有する樹脂を含むことを特徴とするフォトレジスト材料。
IPC (4)：
C08F220/26 ,  C08F216/14 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (4)：
C08F220/26 ,  C08F216/14 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (38)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AE09Q ,  4J100AL08P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA11P ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (7)
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