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J-GLOBAL ID：200903018508239094

剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法

Inventor： 田辺 将人 ,  脇屋 和正 ,  小林 政一 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 服部 平八
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997340858
Publication number (International publication number)：1998239866
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板上の微細部分の洗浄が良好に行える上に、Al、Al-Si、Al-Si-Cuなどの金属薄膜に腐食を起こすことのない剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法を提供すること。【解決手段】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス処理するためのリンス液組成物であって、前記リンス液組成物が低級アルキレングリコールとそれ以外の水溶性有機溶媒とを含有することを特徴とする剥離処理用リンス液組成物及び前記剥離処理用リンス液組成物で剥離処理後の基板をリンス処理する方法。

Claim (excerpt)：

フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス処理するためのリンス液組成物であって、前記リンス液組成物が低級アルキレングリコールとそれ以外の水溶性有機溶媒とを含有することを特徴とする剥離処理用リンス液組成物。

IPC (6)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/308

FI (6)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/30 572 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-000520   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-082518   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, シャープ株式会社
• レジストリンス液、及びレジスト現像処理法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-146137   Applicant：日本電信電話株式会社
• レジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-341085   Applicant：株式会社ソルテック
• アルカリ現像装置の洗浄液と洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226655   Applicant：日本表面化学株式会社
• レジスト用剥離液組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-032817   Applicant：東京応化工業株式会社