3-5族化合物半導体および発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995177335
Publication number (International publication number)：1997027640
Application date： Jul. 13, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】優れた発光効率を有する発光素子および該発光素子を与える3-5族化合物半導体を提供する。【解決手段】〔1〕一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0≦a≦1、0≦b≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体1の上に、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される厚みが10Å以上90Å以下の第2の3-5族化合物半導体2を、気相成長法により成長させてなる積層構造を含む3-5族化合物半導体であって、第1の3-5族化合物半導体層のX線回折における(0002)面の回折ピークのロッキングカーブ半値幅が13分より小さいことを特徴とする3-5族化合物半導体。〔2〕第2の3-5族化合物半導体の層中に含まれるSi、Ge、Cd、MgおよびZnの各元素の濃度がいずれも1×10<SP>19</SP>cm<SP>-3</SP>以下であることを特徴とする〔1〕記載の3-5族化合物半導体。〔3〕前記〔1〕または〔2〕記載の3-5族化合物半導体を用いた発光素子。

Claim (excerpt)：

一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0≦a≦1、0≦b≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体の上に、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される厚みが10Å以上90Å以下の第2の3-5族化合物半導体を、気相成長法により成長させてなる積層構造を含む3-5族化合物半導体であって、第1の3-5族化合物半導体層のX線回折における(0002)面の回折ピークのロッキングカーブ半値幅が13分より小さいことを特徴とする3-5族化合物半導体。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314770 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079045 Applicant：日亜化学工業株式会社

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