半導体発光装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001242991
Publication number (International publication number)：2003060313
Application date： Aug. 09, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】高温状態において、活性層へのドーパントである不純物元素の拡散を防止する。【解決手段】 AlGaInPから成る活性層5、P系の半導体層に対する拡散係数の小さいp型ドーパントであるBeが添加されたp型AlGaInPクラッド層6、n型AlGaInPからなるn型電流狭窄層12およびp型GaAsキャップ層11を有する半導体層を形成し、n型電流狭窄層12の成長温度(520°C以下)を活性層の成長温度(460°C〜500°C)より高く設定する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に、活性層、P系の半導体層に対する拡散係数の小さい第2導電型の不純物元素が添加された第2導電型のクラッド層、電流狭窄層およびキャップ層を有する半導体層を形成した半導体発光装置の製造方法であって、電流狭窄層の成長温度を活性層の成長温度より高く設定することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

F-Term (12)：

5F073AA07 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073BA01 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073CB12 , 5F073DA06 , 5F073DA21 , 5F073EA23 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-296629 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-341316 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-357208 Applicant：ソニー株式会社

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