Pat
J-GLOBAL ID:200903018982816817
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (4):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008140783
Publication number (International publication number):2009288504
Application date: May. 29, 2008
Publication date: Dec. 10, 2009
Summary:
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、特定構造で表される構成単位(a0)と他の特定構造で表される構成単位(a1)とを有する高分子化合物(A1)を含有し、前記高分子化合物(A1)を構成する全構成単位に対し、前記構成単位(a0)の割合は、5〜50モル%であり、前記構成単位(a1)の割合は10モル%より大きく、前記構成単位(a0)および(a1)の割合の合計は90モル%以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
Claim (excerpt):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)と下記一般式(a1-0-1)で表される構成単位(a1)とを有する高分子化合物(A1)を含有し、
前記高分子化合物(A1)を構成する全構成単位に対し、前記構成単位(a0)の割合は、5〜50モル%であり、前記構成単位(a1)の割合は10モル%より大きく、前記構成単位(a0)および(a1)の割合の合計は90モル%以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
IPC (4):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, C08F 220/26
, H01L 21/027
FI (4):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, C08F220/26
, H01L21/30 502R
F-Term (55):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA02
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA28P
, 4J100BA31P
, 4J100BB00P
, 4J100BB01P
, 4J100BB01Q
, 4J100BB07P
, 4J100BB07Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC02P
, 4J100BC02Q
, 4J100BC03P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC07Q
, 4J100BC08P
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC12P
, 4J100BC12Q
, 4J100BC15Q
, 4J100BC53Q
, 4J100BC54P
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100FA02
, 4J100FA19
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (6)
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