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J-GLOBAL ID：200903069878929662

水酸基を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 金生 剛 ,  大橋 正樹 ,  長谷川 幸士 ,  渡辺 武
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008069020
Publication number (International publication number)：2009221394
Application date： Mar. 18, 2008
Publication date： Oct. 01, 2009
Summary：

【解決手段】下記一般式(1)で表される水酸基を有する単量体。(R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基、又は、R2、R3は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。)【効果】本発明の水酸基を有する単量体は、機能性材料の原料等として有用であり、特に波長500nm以下、特に波長300nm以下の放射線に対して優れた透明性を有し、酸拡散制御効果に優れるため、解像性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用であり、また、本発明の高分子化合物は感放射線レジスト材料のベース樹脂として有用である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される水酸基を有する単量体。

IPC (5)：

C08F 20/28 ,  C07C 69/003 ,  C07C 69/54 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (5)：

C08F20/28 ,  C07C69/003 C ,  C07C69/54 Z ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (49)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006BJ30 ,  4H006BN20 ,  4H006KA06 ,  4J100AJ08R ,  4J100AJ09R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL03R ,  4J100AL04Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL34R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BB17Q ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-312722   Applicant：富士通株式会社
• エステル化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-138090   Applicant：信越化学工業株式会社
• ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-188853   Applicant：日本電気株式会社
• 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-255167   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-210437   Applicant：信越化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-249040   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-008380   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ネガ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-254879   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-307537   Applicant：富士写真フイルム株式会社