半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000131954
Publication number (International publication number)：2001036027
Application date： May. 01, 2000
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】貴金属電極を用いた場合のリーク電流を十分に低減でき、特に、機能性材料膜と貴金属電極とを用いたキャパシタのリーク電流を十分に低減できるようにする。【解決手段】熱酸化膜12の上に膜厚が約50nmのルテニウムからなる下部電極13を形成し、続いて、下部電極13に対して、温度が約800°Cのアルゴンと水素との混合ガス中で2分間程度のアニールを行なう。次に、下部電極13上に膜厚が約17nmのTa2O5からなる容量絶縁膜14を形成する。次に、スパッタ法を用いて、容量絶縁膜14の上にルテニウムからなる上部電極15を選択的に形成する。これにより、下部電極13を構成するルテニウムの結晶粒の表面形状は階段状となる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたルテニウムを含む電極又は配線を備え、前記ルテニウムの結晶粒は階段状の表面形状を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-326376 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体メモリー装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-166527 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-148046 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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