パワー半導体モジュールおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004274427
Publication number (International publication number)：2006093255
Application date： Sep. 22, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】効率よく製造できるパワー半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】パワー半導体モジュール1では、リードフレーム9が内部端子30と外部端子6とを兼ね備え、その複数の外部端子6が半導体チップ8に同時に半田接合される。このため、ワイヤボンディングのように1本づつ接合する必要がなく、パワー半導体モジュールが効率よく得られる。また、ワイヤボンディングによる接続ではなく、十分な電流容量が確保される。また、パワー半導体モジュール1の製造においては、ワイヤボンディングは行われず、絶縁回路基板7と半導体チップ8との接合と、半導体チップ8とリードフレーム9との接合とが、リフロー半田付けにより同時に一工程で行われる。このため、その実装時間を極めて短くでき、パワー半導体モジュールを効率よく製造することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

パワー半導体素子を内部に備え、本体装置の制御回路基板に実装されるパワー半導体モジュールにおいて、一端側が前記制御回路基板に接続される外部端子を構成し、他端側が半導体チップに接続される内部端子を構成するリードフレームと、前記リードフレームが一体成形され、その前記内部端子側を収容する端子ケースと、前記端子ケースに収容され、片側面が前記端子ケースの前記制御回路基板とは反対側に露出して放熱面を構成し、前記放熱面とは反対側面に前記半導体チップを実装する絶縁回路基板と、を備え、前記半導体チップが前記絶縁回路基板にロー付けされ、前記リードフレームが前記半導体チップの前記絶縁回路基板とは反対側面にロー付けされたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H02M 7/48

FI (2)：

H01L25/04 C , H02M7/48 Z

F-Term (5)：

5H007AA06 , 5H007CA01 , 5H007HA03 , 5H007HA04 , 5H007HA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体パッケージおよびその応用装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-232640 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (6)

電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-210636 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-044913 Applicant：株式会社三社電機製作所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-040090 Applicant：株式会社日立製作所

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