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J-GLOBAL ID：200903019861190992

SOI基板及び該基板の製造方法

Inventor：
松本 良成

About 松本 良成


Applicant, Patent owner：
東横化学株式会社

About 東横化学株式会社


Agent (1)： 稲垣 仁義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005170559
Publication number (International publication number)：2006344865
Application date： Jun. 10, 2005
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：
【課題】SOI層の厚さのバラツキの無いSOI基板及び該SOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル剥離層を介してALE成長でSOI層を形成し、ボデイウエーハを貼り付けた後、前記エピタキシャル剥離層を溶解除去することによって、全てがALE成長で作成したSOI層を形成し、SOI層の厚さのバラツキの無いSOI基板とした。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
ALE成長単独で作成したSOI層を有することを特徴とするSOI基板。
IPC (4)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/205
F-Term (29)：
5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB02 ,  5F045AB09 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045DA53 ,  5F045EK17 ,  5F152LL02 ,  5F152LL05 ,  5F152LM08 ,  5F152LN08 ,  5F152LP01 ,  5F152LP04 ,  5F152LP08 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN21 ,  5F152NP09 ,  5F152NP11 ,  5F152NP29 ,  5F152NP30 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体基板及びその製造方法:特許公開2003-142663
Cited by examiner (8)
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