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J-GLOBAL ID：200903019994118062

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

Inventor：
菅原 保晴

About 菅原 保晴


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005060276
Publication number (International publication number)：2006245380
Application date： Mar. 04, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】 光取り出し効率が改善された半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 第1及び第2の主面を有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有する基板10と、前記第1の主面の上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する発光層を含む半導体積層体19と、を備え、前記基板は、前記第1及び第2の主面よりも、前記第1の主面と前記第2の主面との間における断面のほうが実質的に小さくなるように、その側面に凹部28が設けられたことを特徴とする半導体発光素子70を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1及び第2の主面を有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、 前記第1の主面の上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する発光層を含む半導体積層体と、 を備え、 前記基板は、前記第1及び第2の主面よりも、前記第1の主面と前記第2の主面との間における断面のほうが実質的に小さくなるように、その側面に凹部が設けられたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 A
F-Term (14)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA99 ,  5F041DA06 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (7)
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