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J-GLOBAL ID：200903020248130560

誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ

Inventor：
中村 友幸

About 中村 友幸

, 
小中 宏泰

About 小中 宏泰

, 
佐野 晴信

About 佐野 晴信


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 小柴 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003374042
Publication number (International publication number)：2004189588
Application date： Nov. 04, 2003
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】 還元性雰囲気での焼成によって得られる積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックであって、薄層化しても、薄層化したほどには誘電率の温度依存性が悪化せず、また、信頼性に優れた誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 ABO3 (AはBa等であり、BはTi等である。)を主成分とし、さらに希土類元素を含む、誘電体セラミックであって、それを構成する結晶粒子21の70%について、その断面を観察したとき、断面積の5〜70%において希土類元素固溶領域22が占め、断面の外周の10〜80%において希土類元素非固溶領域23が占めるようにする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
ABO3 (Aは、Ba、またはBaならびにその一部が置換されたCaおよびSrの少なくとも1種であり、Bは、Ti、またはTiならびにその一部が置換されたZrおよびHfの少なくとも1種である。)を主成分とし、さらに希土類元素を含む、誘電体セラミックであって、 当該誘電体セラミックを構成する結晶粒子の70%以上について、その断面を観察したとき、断面積の5〜70%において希土類元素が固溶した希土類元素固溶領域が占め、断面の外周の10〜80%において希土類元素が固溶していない希土類元素非固溶領域が占めていることを特徴とする、誘電体セラミック。
IPC (3)：
C04B35/46 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12
FI (3)：
C04B35/46 D ,  C04B35/49 Z ,  H01G4/12 358
F-Term (33)：
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA10 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA16 ,  4G031AA19 ,  4G031AA21 ,  4G031AA23 ,  4G031AA25 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031BA10 ,  4G031CA04 ,  4G031CA05 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA05 ,  4G031GA07 ,  5E001AB03 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (4)
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