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J-GLOBAL ID：200903021562643861

半導体装置及び半導体装置の位置検出方法

Inventor： 星 賢治 ,  徐 義裕 ,  野村 博 ,  石橋 茂
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社東芝 ,  ウィンボンド エレクトロニクス コープ
Agent (1)： 北野 好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001162788
Publication number (International publication number)：2002359171
Application date： May. 30, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 コントラストが高く歪みの少ない検出信号の波形を得ることができ、高精度のウエーハのアライメントを実現することができる半導体装置及び半導体装置の位置検出方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエーハ10上に形成されたシリコン酸化膜12中に短冊状のアライメントマーク14が並列に設けられている。各アライメントマーク14は、複数の溝部16が並列にシリコン酸化膜12中に形成されたものであり、これらの溝部16には、アモルファスシリコン膜18が埋め込まれている。このように、アライメントマーク14は、ラインアンドスペースパターンにより構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハ上に形成された複数のアライメントマークを有する半導体装置であって、前記アライメントマークのそれぞれが微細パターンにより分割されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (3)：

G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 522 Z ,  H01L 21/30 525 W

F-Term (5)：

5F046DB04 ,  5F046EA03 ,  5F046EA10 ,  5F046EA30 ,  5F046FC06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• マーク、アライメントマーク、合わせずれ測定用マーク、フォトマスク、及び、半導体ウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-271331   Applicant：株式会社東芝
• 半導体集積回路およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-138347   Applicant：株式会社東芝
• レチクルの合わせ測定用マーク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-016075   Applicant：ソニー株式会社
• X線マスク及びこれを用いたX線露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-176819   Applicant：日本電信電話株式会社
• レチクル及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-196766   Applicant：日本電気株式会社
• アライメント方法、重ね合わせ検査方法及びフォトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-168765   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-214072   Applicant：株式会社日立製作所