半導体装置の製造方法、基板処理装置および基板処理システム

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001017620
Publication number (International publication number)：2002100627
Application date： Jan. 25, 2001
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 Si基板上に、厚さが1.5nm以下のSiO2膜を、紫外光活性化酸化処理により、一様な厚さで形成する。【解決手段】被処理基板を保持する処理容器に隣接して、紫外光源を前記処理容器に設けられた光学窓に隣接して移動可能に設け、前記紫外光源の位置あるいは駆動エネルギを、前記被処理基板上に形成される酸化膜の膜厚が一様になるように設定する。

Claim (excerpt)：

基板上に酸化膜と高誘電体ゲート絶縁膜とを積層した構造を有する半導体装置の製造方法であって、前記酸化膜を、前記基板表面に酸素を含有する処理ガスを供給する工程と、紫外線源から前記基板表面に紫外線を照射し、前記処理ガスを活性化する工程と、前記基板と紫外線源とを相対的に移動させる工程とにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/316 S , H01L 21/316 A , H01L 21/316 M , H01L 21/31 A , H01L 29/78 301 G

F-Term (22)：

5F040DA01 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F045AA13 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045DC51 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EK07 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD18 , 5F058BF02 , 5F058BF73 , 5F058BF78 , 5F058BG03 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-317865 Applicant：ソニー株式会社
MIS型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-162754 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体基板の熱処理装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068400 Applicant：株式会社日立製作所

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