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J-GLOBAL ID：200903043721812681

マイクロ波プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor：
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997040515
Publication number (International publication number)：1997306900
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低パワーで、大面積かつ均一で高密度なプラズマを発生させることができ、低温においても高品質な処理が高速に行えるマクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 周囲を誘電体で大気側から分離されたプラズマ発生室と、該プラズマ発生室の周囲に配され複数のスロットを備えた無終端環状導波管を用いるマイクロ波導入手段と、該プラズマ発生室に連結した処理室と、該処理室内に設置される被処理基体の支持手段と、該プラズマ発生室および該処理室内へのガス導入手段と、該プラズマ発生室および該処理室の排気手段とを少なくとも有するマイクロ波プラズマ処理装置において、該無終端環状導波管の周長(Lg)、該無終端環状導波管内のマイクロ波の波長(λg)、該誘電体の周長(Ls)、及び該誘電体内を伝搬する表面波の波長(λs)がLs/λs=(2n+1)Lg/λg(nは0又は自然数)で示される関係となるようにする。
Claim (excerpt)：
周囲を誘電体で大気側から分離されたプラズマ発生室と、該プラズマ発生室の周囲に配され複数のスロットを備えた無終端環状導波管を用いるマイクロ波導入手段と、該プラズマ発生室に連結した処理室と、該処理室内に設置される被処理基体の支持手段と、該プラズマ発生室および該処理室内へのガス導入手段と、該プラズマ発生室および該処理室の排気手段とを少なくとも有するマイクロ波プラズマ処理装置であって、該無終端環状導波管の周長(Lg)、該無終端環状導波管内のマイクロ波の波長(λg)、該誘電体の周長(Ls)、及び該誘電体内を伝搬する表面波の波長(λs)がLs/λs=(2n+1)Lg/λg(nは0又は自然数)で示される関係をほぼ満たすことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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