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J-GLOBAL ID：200903021668911580

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 楠見 嘉宏 ,  飯田 里志 ,  吉川 和範
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998258331
Publication number (International publication number)：2000091428
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は埋め込み配線による多層配線構造を有する半導体装置に関し、複数の配線層の間で良好な導通状態を確保すること目的とする。【解決手段】 導電性材料で下部配線12を形成する。導電性材料で上部配線38を形成する。下部配線12と上部配線38との間に絶縁層14,16,18を設ける。絶縁層14,16,18を貫いて下部配線12と上部配線38とを導通状態とすると共に、上部配線38側に、下部配線12側に比して大きな断面積を有する接続部36を設ける。

Claim (excerpt)：

導電性材料で構成される第1の配線と、導電性材料で構成される第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間に介在する絶縁層と、前記絶縁層を貫いて前記第1の配線と前記第2の配線とを導通状態とすると共に、前記第2の配線側に、前記第1の配線側に比して大きな断面積を有する接続部と、を備えることを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 W

F-Term (19)：

5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033AA05 ,  5F033AA12 ,  5F033AA14 ,  5F033AA15 ,  5F033AA19 ,  5F033AA28 ,  5F033AA29 ,  5F033AA52 ,  5F033AA64 ,  5F033BA17 ,  5F033DA04 ,  5F033DA28 ,  5F033EA03 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA33 ,  5F033FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-032487   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-176036   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-081455   Applicant：日本電気株式会社
• 集積回路の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-140353   Applicant：聯華電子股ふん有限公司
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-192943   Applicant：富士通株式会社
• 多層配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-238303   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-005833   Applicant：富士通株式会社