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J-GLOBAL ID：200903021733246416
GaN結晶基板およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006041140
Publication number (International publication number)：2007220975
Application date： Feb. 17, 2006
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：
【課題】反りの小さいGaN結晶基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】マトリックス結晶領域11と、c軸反転結晶領域21と、粗大コア結晶領域31とを含むGaN結晶基板1であって、c軸反転結晶領域21の結晶は、マトリックス結晶領域11の結晶に対して、a軸方向が同じであり、c軸方向が反転しており、粗大コア結晶領域31は1以上の結晶を含み、粗大コア結晶領域31における結晶は、マトリックス結晶領域11の結晶に対して、a軸方向が異なり、c軸方向が同じであり、粗大コア結晶領域31を0.1個/cm2以上10個/cm2以下で含むことを特徴とするGaN結晶基板。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
マトリックス結晶領域と、c軸反転結晶領域と、粗大コア結晶領域とを含むGaN結晶基板であって、
前記c軸反転結晶領域の結晶は、前記マトリックス結晶領域の結晶に対して、a軸方向が同じであり、c軸方向が反転しており、
前記粗大コア結晶領域は1以上の結晶を含み、前記粗大コア結晶領域における結晶は、前記マトリックス結晶領域の結晶に対して、a軸方向が異なり、c軸方向が同じであり、
前記粗大コア結晶領域を0.1個/cm2以上10個/cm2以下で含むことを特徴とするGaN結晶基板。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (11)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AE17
, 5F045AF09
, 5F045BB11
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DB01
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (8)
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