薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西山恵三 , 内尾裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008121384
Publication number (International publication number)：2009272427
Application date： May. 07, 2008
Publication date： Nov. 19, 2009
Summary：

【課題】電気的ストレスによる閾値電圧変化の小さいコプラナー構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル保護層は1層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸素を含む絶縁体からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル保護層は1層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸化物からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/50 , G02F 1/136

FI (7)：

H01L29/78 616A , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H05B33/14 A , G02F1/1368

F-Term (79)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA19 , 2H092MA42 , 2H092NA21 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HJ16 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN13 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-264885 Applicant：科学技術振興事業団
薄膜トランジスタ及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-038426 Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-074630 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-262991 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-231515 Applicant：カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタ及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-038426 Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社

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