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J-GLOBAL ID：200903022531338820

窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体基板

Inventor：
蝶々 一幸

About 蝶々 一幸


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000186462
Publication number (International publication number)：2002008985
Application date： Jun. 21, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 サファイア等の異種基板上から、直接、窒化物半導体層を横方向に成長させる窒化物半導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の表面に、点状、ストライプ状又は格子状の凹部を形成し、異種基板上に窒化物半導体層を気相成長させて、異種基板の最上面又は凹部の側面から成長した窒化物半導体層を、凹部底面の上方において互いに接合させる。異種基板との界面において発生した転位は、凹部内側の領域においては窒化物半導体の成長方向に沿って横方向にのみ進行する。凹部底面において発生した転位は基板の上方に向かって進行するが、基板最上面又は凹部側面から成長した窒化物半導体の接合部で止まるため、凹部の上方に低転位密度の窒化物半導体層を形成することができる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の表面に、点状、ストライプ状又は格子状の凹部を形成する工程と、前記異種基板上に窒化物半導体層を気相成長させて、前記異種基板の最上面又は凹部側面から成長した窒化物半導体層を、凹部底面の上方において互いに接合させる工程とを備えた窒化物半導体の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  C30B 29/40 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  C30B 29/40 502 G ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (34)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EE10 ,  4G077EF03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DB02 ,  5F045HA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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