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J-GLOBAL ID：200903036248150041

窒化物半導体発光素子

Inventor：
大内 洋一郎

About 大内 洋一郎

, 
岡川 広明

About 岡川 広明

, 
只友 一行

About 只友 一行


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003349445
Publication number (International publication number)：2005116794
Application date： Oct. 08, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】 電極としての機能を維持しながらも、光をより反射し得る電極を備えたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 結晶基板の上面側に、窒化物半導体結晶からなる発光層を含む積層体が形成され、該積層体の最上層であるコンタクト層の上面にはオーミック電極が形成され、上下方向を反転させて行うフリップチップ実装によって結晶基板の裏面側から光を取り出す構造とされたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子であって、 前記オーミック電極は、細分化パターンにてコンタクト層の上面に形成された部分を有し、細分化されたオーミック電極同士の間に露出したコンタクト層上面には、発光層から発せられた光を反射し得る反射層が形成されていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
結晶基板の上面側に、窒化物半導体結晶からなる発光層を含む積層体が形成され、該積層体の最上層であるコンタクト層の上面にはオーミック電極が形成され、上下方向を反転させて行うフリップチップ実装によって結晶基板の裏面側から光を取り出す構造とされたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子であって、 前記オーミック電極は、細分化パターンにてコンタクト層の上面に形成された部分を有し、細分化されたオーミック電極同士の間に露出したコンタクト層上面には、発光層から発せられた光を反射し得る反射層が形成されていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (3)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
F-Term (19)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104DD34 ,  4M104FF11 ,  4M104GG04 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 青色発光デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-289495   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-152301   Applicant：三洋電機株式会社
Cited by examiner (8)
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