化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001369039
Publication number (International publication number)：2003167345
Application date： Dec. 03, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】表面に段差を有する基板のレジストパターニングに適した化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法において、表面に段差を有するとともに有機剥離液が付着若しくは染み込んだ基板上に、ベース樹脂100g当たり塩基性化合物を1〜100mmol添加した化学増幅型フォトレジスト組成物を用いてレジスト膜を成膜し、前記レジスト膜の所定の領域を露光することによってレジストパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にベース樹脂100g当たり塩基性化合物を1mmol以上かつ100mmol以下の範囲で添加した化学増幅型フォトレジスト組成物を用いてレジスト膜を成膜し、前記レジスト膜の所定の領域を露光することによってレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 502 R

F-Term (18)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-250530 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-343290 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-151737 Applicant：日本電気株式会社

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