半導体力学量センサ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000324178
Publication number (International publication number)：2002131331
Application date： Oct. 24, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】相直交する2つの軸方向の加速度を検出可能な半導体加速度センサにおいて、容易に小型化が可能な構成を実現する。【解決手段】半導体基板12には、加速度の印加に応じて第1の方向X及び第2の方向Yへ変位可能な可動電極30と、可動電極30との間に可動電極30の第1の方向Xへの変位を検出するための第1の検出容量CS1、CS2を形成する第1の固定電極40、50と、可動電極30との間に可動電極30の第2の方向への変位を検出するための第2の検出容量CS3、CS4を形成する第2の固定電極60、70とが形成されている。可動電極30は、略X字平面形状をなすように2本の棒31a、31bが交差してなる錘部31と、錘部31から延びる櫛歯状の電極部32とを備える。各固定電極40〜70は、電極部32との間に各検出容量CS1〜CS4を形成するように配置された櫛歯形状をなす。

Claim (excerpt)：

半導体よりなる半導体基板(12)と、この半導体基板に形成され力学量の印加に応じて前記半導体基板と平行な面内にて相直交する第1の方向(X)及び第2の方向(Y)へ変位可能な可動電極(30)と、前記半導体基板のうち前記可動電極の外側に形成され、前記可動電極との間に前記可動電極の前記第1の方向への変位を検出するための第1の検出容量(CS1、CS2)を形成する第1の固定電極(40、50)と、前記半導体基板のうち前記可動電極の外側に形成され、前記可動電極との間に前記可動電極の前記第2の方向への変位を検出するための第2の検出容量(CS3、CS4)を形成する第2の固定電極(60、70)と、を備える半導体力学量センサであって、前記可動電極は、半導体基板と平行な面に沿った面形状が略X字形状をなすように2本の棒(31a、31b)が交差してなる錘部(31)と、この錘部の中心から延びる電極部(32)とを備え、前記第1及び第2の固定電極は、前記電極部との間にそれぞれ前記第1及び第2の検出容量を形成するように、前記電極部と対向して配置されていることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (5)：

G01P 15/125 , G01C 19/56 , G01P 9/04 , G01P 15/18 , H01L 29/84

FI (5)：

G01P 15/125 , G01C 19/56 , G01P 9/04 , H01L 29/84 Z , G01P 15/00 K

F-Term (17)：

2F105BB03 , 2F105BB13 , 2F105CC04 , 2F105CD03 , 2F105CD05 , 2F105CD13 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA15 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

複合センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-159047 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
振動するマイクロジャイロメータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-330254 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
半導体力学量センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-127419 Applicant：株式会社デンソー

Show all

Return to Previous Page