水素でドープされたシリコン半導体ディスク及びその製造法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001085514
Publication number (International publication number)：2001335396
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】適正濃度範囲の水素がドープされたシリコン半導体ディスクの提供。【解決手段】シリコン単結晶体を、チョクラルスキー法により3ミリバール未満の水素部分圧で引き上げるとともに、このとき同時に冷却した熱シールドを単結晶体の周囲に配置し、該単結晶体を熱シールドを用いて冷却する。この場合、単結晶体を1050°Cの温度から900°Cの温度へ冷却する時間は、120分未満とする。こうして製造した単結晶から切出した半導体ディスクに、水素及びアルゴンを3%未満含有する雰囲気下で熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

水素でドープされたシリコンからなる半導体ディスクにおいて、5×1016atcm-3未満で、1×1012atcm-3を上回る水素濃度によって特徴付けられる水素でドープされたシリコンからなる半導体ディスク。

IPC (6)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/26 , H01L 21/324 , H01L 21/208

FI (8)：

C30B 29/06 A , C30B 29/06 B , C30B 29/06 C , C30B 29/06 502 H , C30B 15/00 Z , H01L 21/324 X , H01L 21/208 P , H01L 21/26 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

シリコン単結晶及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-361217 Applicant：住友金属工業株式会社
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038031 Applicant：富士通株式会社
シリコン結晶中の水素濃度測定方法, 低水素濃度シリコン結晶及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-209785 Applicant：富士通株式会社

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